Material - Keramik

♦ Alumina (Al2O3)

D'Präzisioun Keramik Deeler produzéiert vun ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) kann aus héich-Rengheet Keramik Matière première gemaach ginn, 92 ~ 97% Alumina, 99,5% Alumina,> 99,9% Alumina, an CIP kal isostatic pressen.Héichtemperatur Sintering a Präzisiounsbearbeitung, Dimensiounsgenauegkeet vun ± 0.001mm, Glatheet bis Ra0.1, benotzt Temperatur bis 1600 Grad.Verschidde Faarwen vun Keramik kënnen no Clienten Ufuerderunge gemaach ginn, wéi: schwaarz, wäiss, beige, donkel rout, etc. benotzt fir eng laang Zäit an héich Temperatur, Vakuum a ätzend Gas Ëmfeld.

Vill an enger Vielfalt vun Hallefleitproduktiounsausrüstung benotzt: Frames (Keramik Klammer), Substrat (Basis), Aarm / Bréck (Manipulatioun), Mechanesch Komponenten a Keramik Loftlager.

AL2O3

Produit Numm Héich Purity 99 Alumina Keramik Square Tube / Päif / Staang
Index Eenheet 85% Al2O3 95% Al2O3 99% Al2O3 99,5% Al2O3
Dicht g/cm3 3.3 3,65 3.8 3.9
Waasser Absorptioun % <0.1 <0.1 0 0
Sinter Temperatur 1620 1650 1800 1800
Hardness Mohs 7 9 9 9
Béi Kraaft (20 ℃)) Mpa 200 300 340 360
Kompressiv Kraaft Kgf/cm2 10000 25 000 30000 30000
Laang Zäit Aarbechtstemperatur 1350 1400 1600 1650
Max.Aarbechtstemperatur 1450 1600 1800 1800
Volume Resistivitéit 20 ℃ Ω.cm3 >1013 >1013 >1013 >1013
100 ℃ 1012-1013 1012-1013 1012-1013 1012-1013
300 ℃ >109 >1010 >1012 >1012

Uwendung vun héich Rengheet Alumina Keramik:
1. Applizéiert op semiconductor Equipement: Keramik Vakuum Chuck, opzedeelen disc, Botzen disc, Keramik CHUCK.
2. Wafer Transfermaart Deeler: wafer Ëmgank Chucks, wafer opzedeelen discs, wafer Botzen discs, wafer opteschen Inspektioun Saugbecher.
3. LED / LCD flaach Haaptsäit Industrie: Keramik nozzle, Keramik poléieren disc, LIFT PIN, PIN-Schinn.
4. Optesch Kommunikatioun, Solarindustrie: Keramik Réier, Keramik Staang, Circuit Board Écran Dréckerei Keramik Scrapers.
5. Hëtzt-resistent an elektresch isoléierend Deeler: Keramik Lager.
Am Moment kann Aluminiumoxid Keramik an héich Rengheet a gemeinsam Keramik opgedeelt ginn.Déi héich Rengheet Aluminiumoxid Keramik Serie bezitt sech op d'Keramikmaterial mat méi wéi 99,9% Al₂O₃.Wéinst senger Sintertemperatur vu bis zu 1650 - 1990 °C a senger Iwwerdroungswellelängt vun 1 ~ 6μm, gëtt et normalerweis a verschmolzte Glas amplaz vu Platin-Kroue veraarbecht: deen als Natriumröhre benotzt ka ginn wéinst senger Liichttransmittanz a Korrosiounsbeständegkeet. Alkalimetall.An der Elektronikindustrie kann et als Héichfrequenz Isoléiermaterial fir IC Substrate benotzt ginn.No verschiddenen Inhalter vun Aluminiumoxid, kann déi gemeinsam Aluminiumoxid Keramik Serie an 99 Keramik, 95 Keramik, 90 Keramik an 85 Keramik opgedeelt ginn.Heiansdo gëtt d'Keramik mat 80% oder 75% Aluminiumoxid och als allgemeng Aluminiumoxid Keramikserie klasséiert.Ënnert hinne gëtt 99 Aluminiumoxid Keramikmaterial benotzt fir Héichtemperatur-Kraaft, Feierbeständeg Schmelzröhre a speziell verschleißbeständeg Materialien, wéi Keramiklager, Keramik-Dichtungen a Ventilplacken, ze produzéieren.95 Aluminiumkeramik gëtt haaptsächlech als korrosionsbeständeg verschleißbeständeg Deel benotzt.85 Keramik gëtt dacks an e puer Eegeschafte gemëscht, doduerch d'elektresch Leeschtung a mechanesch Kraaft verbessert.Et kann Molybdän, Niob, Tantal an aner Metalldichtungen benotzen, an e puer ginn als elektresch Vakuumgeräter benotzt.

 

Qualitéitsartikel (Representativ Wäert) Produit Numm AES-12 AES-11 AES-11C Fotoen AES-11F Fotoen AES-22S Fotoen AES-23 AL-31-03
Chemesch Zesummesetzung Low-Natrium Easy Sintering Produit H₂O % 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Lol % 0.1 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Fe₂0₃ % 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01
SiO₂ % 0,03 0,03 0,03 0,03 0,02 0,04 0,04
Na₂O % 0,04 0,04 0,04 0,04 0,02 0,04 0,03
MgO* % - 0.11 0,05 0,05 - - -
Al₂0₃ % 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9 99,9
Mëttelméisseg Partikel Duerchmiesser (MT-3300, Laser Analyse Method) μm 0,44 0,43 0,39 0,47 1.1 2.2 3
α Kristallgréisst μm 0.3 0.3 0.3 0.3 0,3 ~ 1,0 0,3-4 vun 0,3-4 vun
Formendicht ** g/cm³ 2.22 2.22 2.2 2.17 2,35 2.57 2,56
Sintering Dicht** g/cm³ 3,88 3,93 3,94 3,93 3,88 3,77 3.22
Schrumpft Taux vun Sintering Linn ** % 17 17 18 18 15 12 7

* MgO ass net an der Berechnung vun der Rengheet vun Al₂O₃ abegraff.
* Kee Skaléierungspulver 29.4MPa (300kg/cm²), Sintertemperatur ass 1600°C.
AES-11 / 11C / 11F: Füügt 0,05 ~ 0,1% MgO, d'Sinterbarkeet ass exzellent, also ass et applicabel fir Aluminiumoxidkeramik mat der Rengheet vu méi wéi 99%.
AES-22S: Charakteriséiert duerch héich Formendicht a gerénger Schrumpfquote vun der Sinterlinn, ass et applicabel fir Formguss an aner grouss Skala Produkter mat erfuerderlecher Dimensiounsgenauegkeet ze rutschen.
AES-23 / AES-31-03: Et huet eng méi héich Formendicht, Thixotropie an eng méi niddereg Viskositéit wéi AES-22S.dee fréiere gëtt fir Keramik benotzt, während dee Leschten als Waasserreduktioun fir Feuerschutzmaterialien benotzt gëtt, a Popularitéit gewënnt.

♦ Silicon Carbide (SiC) Charakteristiken

Allgemeng Charakteristiken Puritéit vun den Haaptkomponenten (wt%) 97
Faarf Schwaarz
Dicht (g/cm³) 3.1
Waasser Absorptioun (%) 0
Mechanesch Charakteristiken Flexural Stäerkt (MPa) 400
Young Modulus (GPa) 400
Vickers Hardness (GPa) 20
Thermesch Charakteristiken Maximal Operatiounstemperatur (°C) 1600
Thermesch Expansiounskoeffizient RT~500°C 3.9
(1/°C x 10-6) RT~800°C 4.3
Wärmekonduktivitéit (W/m x K) 130 110
Wärmeschockresistenz ΔT (°C) 300
Elektresch Charakteristiken Volume Resistivitéit 25°C 3 x106
300°C -
500°C -
800°C -
Dielectric konstant 10 GHz -
Dielektresch Verloscht (x 10-4) -
Q Faktor (x 104) -
Dielektresch Ënnerbriechungsspannung (KV/mm) -

20200507170353_55726

♦ Siliziumnitrid Keramik

Material Eenheet Si₃N₄
Sintering Method - Gas Drock Sinter
Dicht g/cm³ 3.22
Faarf - Däischter Grey
Waasser Absorptioun Taux % 0
Young Modulus Gpa 290
Vickers Hardness Gpa 18 - 20
Kompressiv Kraaft Mpa 2200
Béie Kraaft Mpa 650
Thermesch Konduktivitéit W/mK 25
thermesch Schock Resistenz Δ (°C) 450-650
Maximal Operatioun Temperatur °C 1200
Volume Resistivitéit Ω·cm > 10 ^ 14
Dielektresch Konstant - 8.2
Dielektresch Kraaft kV/mm 16