1. Dimensiounsgenauegkeet
Flaachheet: D'Flaachheet vun der Uewerfläch vun der Basis soll e ganz héije Standard erreechen, an de Flaachheetsfehler däerf net méi wéi ±0,5 μm an enger 100 mm × 100 mm Fläch sinn; Fir déi ganz Basisfläch gëtt de Flaachheetsfehler bannent ±1 μm kontrolléiert. Dëst garantéiert, datt déi wichtegst Komponenten vun der Hallefleederausrüstung, wéi den Beliichtungskapp vun der Lithographieausrüstung an d'Sondendësch vun der Chipdetektiounsausrüstung, stabil op enger héichpräziser Fläch installéiert a bedriwwe kënne ginn, d'Genauegkeet vum optesche Wee an der Schaltungsverbindung vun der Ausrüstung garantéiert, an d'Ofwäichung vun der Verrécklung vun de Komponenten, déi duerch déi ongläich Fläch vun der Basis verursaacht gëtt, vermeit gëtt, wat d'Herstellung an d'Detektiounsgenauegkeet vun den Hallefleederchips beaflosst.
Geriichtheet: D'Geriichtheet vun all Kant vun der Basis ass entscheedend. An der Längterichtung däerf de Geriichtheetsfehler net méi wéi ±1μm pro 1m sinn; de diagonale Geriichtheetsfehler gëtt bannent ±1,5μm kontrolléiert. Wann een zum Beispill eng héichpräzis Lithographiemaschinn hëlt, beaflosst d'Geriichtheet vun der Kant vun der Basis direkt d'Trajektoriengenauegkeet vum Dësch, wann den Dësch laanscht d'Féierungsschinn vun der Basis beweegt. Wann d'Geriichtheet net dem Standard entsprécht, gëtt d'Lithographiemuster verzerrt an deforméiert, wat zu enger Reduktioun vum Chipproduktiounsrendement féiert.
Parallelismus: De Parallelismusfehler vun den ieweschten an ënneschten Uewerfläche vun der Basis soll bannent ±1μm kontrolléiert ginn. E gudde Parallelismus kann d'Stabilitéit vum gesamte Schwéierpunkt no der Installatioun vun der Ausrüstung garantéieren, an d'Kraaft vun all Komponent ass gläichméisseg. Wann an Ausrüstung fir d'Produktioun vu Hallefleederwaferen déi iewescht an ënnescht Uewerfläche vun der Basis net parallel sinn, kippt de Wafer während der Veraarbechtung, wat d'Prozessuniformitéit wéi Ätzen a Beschichtung beaflosst, an domat d'Konsistenz vun der Chipleistung beaflosst.
Zweetens, Materialcharakteristiken
Häert: D'Häert vum Granitbasismaterial soll d'Shore-Häert HS70 oder méi erreechen. Déi héich Häert kann dem Verschleiss effektiv widderstoen, deen duerch heefeg Beweegungen a Reibung vu Komponenten während dem Betrib vun der Ausrüstung verursaacht gëtt, fir sécherzestellen, datt d'Basis eng héich Präzisiounsgréisst och no laanger Benotzung behält. An der Chip-Verpackungsausrüstung gräift de Roboterarm de Chip dacks op d'Basis a leet en op d'Basis, an déi héich Häert vun der Basis kann dofir suergen, datt d'Uewerfläch net einfach kraazt an d'Genauegkeet vun der Roboterarmbewegung behält.
Dicht: D'Materialdicht soll tëscht 2,6-3,1 g/cm³ leien. Déi entspriechend Dicht suergt fir eng gutt Stabilitéit vun der Basis, déi eng genuch Steifheet garantéiere kann fir d'Ausrüstung ze ënnerstëtzen, an déi keng Schwieregkeeten bei der Installatioun an dem Transport vun der Ausrüstung wéinst exzessivem Gewiicht verursaacht. Bei groussen Hallefleederinspektiounsausrüstungen hëlleft eng stabil Basisdicht d'Vibratiounsiwwerdroung während dem Betrib vun der Ausrüstung ze reduzéieren an d'Detektiounsgenauegkeet ze verbesseren.
Thermesch Stabilitéit: De linearen Ausdehnungskoeffizient ass manner wéi 5×10⁻⁶/℃. Hallefleiterausrüstung ass ganz empfindlech op Temperaturännerungen, an d'thermesch Stabilitéit vun der Basis hänkt direkt vun der Genauegkeet vun der Ausrüstung zesummen. Wärend dem Lithographieprozess kënnen Temperaturschwankungen d'Ausdehnung oder d'Kontraktioun vun der Basis verursaachen, wat zu enger Ofwäichung vun der Gréisst vum Beliichtungsmuster féiert. D'Granitbasis mat engem niddrege linearen Ausdehnungskoeffizient kann d'Gréisstännerung an engem ganz klenge Beräich kontrolléieren, wann d'Betribstemperatur vun der Ausrüstung ännert (normalerweis 20-30 °C), fir d'Lithographiegenauegkeet ze garantéieren.
Drëttens, Uewerflächenqualitéit
Rauheet: De Ra-Wäert vun der Uewerflächenrauheet op der Basis däerf net méi wéi 0,05 μm sinn. Déi ultraglat Uewerfläch kann d'Adsorptioun vu Stëbs an Ongereimtheeten reduzéieren an den Impakt op d'Sauberkeet vun der Halbleiterchips-Produktiounsëmfeld reduzéieren. An der staubfräier Werkstatt vun der Chipproduktioun kënne kleng Partikelen zu Defekter wéi Kuerzschluss vum Chip féieren, an déi glat Uewerfläch vun der Basis hëlleft eng propper Ëmwelt an der Werkstatt ze erhalen an de Chiprendite ze verbesseren.
Mikroskopesch Defekter: D'Uewerfläch vun der Basis däerf keng siichtbar Rëss, Sandlächer, Poren an aner Defekter hunn. Op mikroskopescher Ebene däerf d'Zuel vun Defekter mat engem Duerchmiesser vu méi wéi 1 μm pro Quadratzentimeter net méi wéi 3 duerch Elektronemikroskopie sinn. Dës Defekter beaflossen d'strukturell Stäerkt an d'Uewerflächenflaachheet vun der Basis a beaflossen dann d'Stabilitéit an d'Genauegkeet vum Apparat.
Véiertens, Stabilitéit a Schockbeständegkeet
Dynamesch Stabilitéit: An der simuléierter Schwéngungsëmfeld, déi duerch de Betrib vun Hallefleederausrüstung generéiert gëtt (Schwéngungsfrequenzberäich 10-1000Hz, Amplitude 0,01-0,1mm), soll d'Schwéngungsverrécklung vun de wichtegste Befestigungspunkten op der Basis bannent ±0,05μm kontrolléiert ginn. Zum Beispill, wann d'Hallefleeder-Testausrüstung selwer an d'Ëmfeldschwéngungen während dem Betrib op d'Basis iwwerdroe ginn, kann d'Genauegkeet vum Testsignal gestéiert ginn. Eng gutt dynamesch Stabilitéit kann zouverlässeg Testergebnisse garantéieren.
Seismesch Resistenz: D'Basis muss eng exzellent seismesch Leeschtung hunn a kann d'Vibratiounsenergie séier ofschwächen, wann se plëtzlech externer Schwéngungen ausgesat ass (wéi z. B. seismesch Wellesimulatiounsschwéngungen), a sécherzestellen, datt d'relativ Positioun vun de Schlësselkomponenten vun der Ausrüstung bannent ±0,1μm ännert. A Hallefleederfabriken an Äerdbiewenufällege Gebidder kënnen Äerdbiewenbeständeg Basen deier Hallefleederausrüstung effektiv schützen, wouduerch de Risiko vu Schued un der Ausrüstung a Produktiounsstéierungen duerch Schwéngungen reduzéiert gëtt.
5. Chemesch Stabilitéit
Korrosiounsbeständegkeet: De Granitbasis soll der Korrosioun vun übleche chemeschen Agenten am Hallefleederherstellungsprozess, wéi Flusssäure, Kinniginwasser, etc., standhalen. Nodeems en 24 Stonnen an enger Flusssäureléisung mat engem Massefraktioun vu 40% ageweit gouf, däerf de Verloscht vun der Uewerflächenqualitéit net méi wéi 0,01% sinn; 12 Stonnen an Kinniginwasser (Volumenverhältnis vu Salzsäure zu Salpetersäure 3:1) ageweit ginn, ouni datt et offensichtlech Spuere vu Korrosioun op der Uewerfläch gëtt. De Hallefleederherstellungsprozess ëmfaasst eng Vielfalt vu chemeschen Ätz- a Reinigungsprozesser, an déi gutt Korrosiounsbeständegkeet vun der Basis kann garantéieren, datt déi laangfristeg Notzung an enger chemescher Ëmwelt net erodéiert gëtt, an d'Genauegkeet an d'strukturell Integritéit erhale bleiwen.
Anti-Verschmotzung: D'Basismaterial huet eng extrem niddreg Absorptioun vu verbreeten Schadstoffer an der Halbleiterproduktiounsëmfeld, wéi z. B. organesche Gaser, Metallionen, etc. Wann et 72 Stonnen an enger Ëmwelt mat 10 PPM organesche Gaser (z. B. Benzol, Toluol) an 1 ppm Metallionen (z. B. Kupferionen, Eisenionen) placéiert gëtt, ass d'Leeschtungsännerung, déi duerch d'Adsorptioun vu Schadstoffer op der Basisuewerfläch verursaacht gëtt, vernoléissegbar. Dëst verhënnert, datt Kontaminanten vun der Basisuewerfläch an de Chipproduktiounsberäich migréieren an d'Chipqualitéit beaflossen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 28. Mäerz 2025